长江存储发布128层QLC 3D NAND 单颗容量高达1.33Tb

4月13日,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(X2-6070)研发成功,并在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量,同时长江存储还发布了128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(X2-9060)。


据悉,每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元 ,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的数据传输速率。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking